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晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
不銹鋼的晶間腐蝕是沿晶界優(yōu)先發(fā)生的腐蝕。從20世紀30年代到50年代，它曾是最受關注和最常見的腐蝕失效形式。雖然不銹鋼的敏化晶間腐蝕事故已經大大減少，但非敏化晶間腐蝕的研究和解決仍需要人們繼續(xù)努力。
在不銹鋼可能產生晶間腐蝕的區(qū)域，是否發(fā)生晶間腐蝕以及腐蝕的程度是由鋼熱處理系統對晶間腐蝕的敏感性決定的，即取決于加熱的程度、時間和冷卻速度。在750℃以上，析出不連續(xù)顆粒，Cr容易擴散，不發(fā)生晶間腐蝕。在600 ~ 700℃時，網狀Cr23C6析出，晶間腐蝕最為嚴重。在600℃以下，Cr和C擴散緩慢，形成碳化物的時間較長，腐蝕減弱。450℃以下:難以晶間腐蝕。
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