晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì),或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同,在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽(yáng)極,晶界為陰極,晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。
不銹鋼的晶間腐蝕是沿晶界優(yōu)先發(fā)生的腐蝕。從20世紀(jì)30年代到50年代,它曾是最受關(guān)注和最常見的腐蝕失效形式。雖然不銹鋼的敏化晶間腐蝕事故已經(jīng)大大減少,但非敏化晶間腐蝕的研究和解決仍需要人們繼續(xù)努力。
碳對(duì)晶間腐蝕有顯著影響。隨著含碳量的增加,晶間腐蝕的趨勢(shì)越來越嚴(yán)重。它不僅擴(kuò)大了晶間腐蝕趨勢(shì)的加熱溫度和時(shí)間范圍,而且加劇了晶間腐蝕程度,提高了固溶溫度。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?,原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。