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點(diǎn)腐蝕檢測(cè)機(jī)構(gòu)

發(fā)布時(shí)間:2021-08-16 訪問量:650次 來源:隱石檢測(cè)
點(diǎn)腐蝕檢測(cè)機(jī)構(gòu),現(xiàn)代我們國家金屬材料使用范圍廣,金屬材料容易被腐蝕,在使用過程中無法避免。那么該如何進(jìn)行晶間腐蝕檢測(cè)呢?

點(diǎn)腐蝕檢測(cè)機(jī)構(gòu)

將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃,固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%,然后淬火。經(jīng)固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體,不會(huì)產(chǎn)生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內(nèi),碳的固溶體不超過0.02%,過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時(shí),碳會(huì)擴(kuò)散到晶界和結(jié)合鐵和鉻在晶界形成硬質(zhì)合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內(nèi)擴(kuò)散速度慢得多比在晶界,在晶界區(qū)消耗的鉻沒有時(shí)間補(bǔ)充,因此在晶界區(qū)形成鉻貧區(qū)。對(duì)于不銹鋼來說,由于晶界鈍化狀態(tài)的破壞,晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區(qū)成為陽極區(qū),而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態(tài)成為陰極區(qū)。在腐蝕介質(zhì)中,晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大,陽極面積比小,加速了晶界區(qū)域的腐蝕。


晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。


不銹鋼在酸性介質(zhì)中存在嚴(yán)重的晶間腐蝕。特別是在H2SO4或HNO3中加入Cu2 +、Hg2 +、Cr6 +等氧化離子可以增加陰極過程的電流密度。晶間陽極的溶解速度明顯加快。


奧氏體不銹鋼雖然是一種焊接性能優(yōu)良的鋼,但在焊接熱影響區(qū)相對(duì)母材再次受熱,導(dǎo)致熔化線附近碳化物析出,晶間腐蝕嚴(yán)重。


點(diǎn)腐蝕檢測(cè)機(jī)構(gòu)

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