理論上,研制P < = 0.01%,Si<= 0.10%,B<= 0.008%的高純度Cr - Ni奧氏體不銹鋼是解決非敏化晶間腐蝕的最根本措施。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因為晶界的能量高,原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
晶間腐蝕的特點(diǎn)是當(dāng)金屬表面沒有損傷時,晶粒間的結(jié)合力和金屬的脆響已經(jīng)喪失。在嚴(yán)重的情況下,只要輕輕敲擊,它就會碎成粉末。
奧氏體不銹鋼雖然是一種焊接性能優(yōu)良的鋼,但在焊接熱影響區(qū)相對母材再次受熱,導(dǎo)致熔化線附近碳化物析出,晶間腐蝕嚴(yán)重。