晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì),或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同,在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽極,晶界為陰極,晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
理論上,研制P < = 0.01%,Si<= 0.10%,B<= 0.008%的高純度Cr - Ni奧氏體不銹鋼是解決非敏化晶間腐蝕的最根本措施。
晶間腐蝕是一種局部腐蝕。沿金屬晶界向內(nèi)延伸的腐蝕。這主要是由于晶粒表面和內(nèi)部的化學(xué)成分不同,以及晶界雜質(zhì)或內(nèi)應(yīng)力的存在。晶間腐蝕破壞了晶粒間的結(jié)合,大大降低了金屬的機(jī)械強(qiáng)度。